PSMN4R8-100YSEX是安世半导体(Nexperia)推出的一款N沟道增强型MOSFET,属于其“ASFETs for hotswap”产品组合,专为热插拔、电子保险丝(eFuse)、负载开关及软启动等要求严苛的线性模式应用而设计。该器件在紧凑的LFPAK56E封装内实现了极低的导通电阻与卓越的安全工作区性能。
PSMN4R8-100YSEX的核心技术价值在于其针对线性模式的深度优化。在热插拔电路中,MOSFET在启动瞬间需要承受巨大的浪涌电流,同时承受较高的漏源电压,此时器件处于线性放大区,功耗极大。该器件经过优化的SOA(安全工作区)能够在此严苛阶段稳健运行,从容吸收浪涌冲击。而当MOSFET完全导通进入饱和区后,其仅4.8mΩ的导通电阻大幅降低了I²R导通损耗,确保系统在稳态运行期间的高效率。这种“启动时扛得住、导通时损耗低”的双重特性,精准匹配了48V通信背板电源、服务器电源及基站供电系统的核心需求。
在电气参数方面,PSMN4R8-100YSEX漏源击穿电压为100V,在25℃条件下连续漏极电流可达120A,脉冲漏极电流更高达653A,最大耗散功率为294W。栅极电荷总量为120nC,输入电容8290pF,输出电容2140pF,反向传输电容仅50pF。这些参数反映了其在动态开关过程中相对适中的驱动要求与较低的寄生效应。器件工作温度范围覆盖-55℃至+175℃,能够适应户外基站机柜及工业电源模块等严苛环境。
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