【奥伟斯OWEIS】一文读懂存储芯片：DRAM、NAND Flash与新型非易失性存储

存储芯片按照断电后数据是否保留，首先划分为易失性存储器与非易失性存储器两大类别。

易失性存储器以动态随机存取存储器为核心，当前个人计算机与服务器主流规格为DDR4与DDR5，移动终端采用低功耗规格LPDDR，图形处理器则使用高带宽规格GDDR。上述变体均基于DRAM架构，在功耗、带宽与延迟之间做出不同取舍。静态随机存取存储器速度远高于DRAM，但单元面积大、成本高，通常仅用于CPU高速缓存。

非易失性存储器中，Flash闪存占据绝对主导地位，技术路径分为NOR Flash与NAND Flash。NOR Flash支持芯片内执行，读取延迟低、可靠性高，主要用于存储启动固件与嵌入式代码。NAND Flash以高密度、低成本见长，是固态硬盘、移动终端存储及存储卡的物理基础。根据每个存储单元存储的比特数，NAND Flash可分为SLC、MLC、TLC和QLC，依次以寿命和性能换取容量与成本。NAND Flash经控制器封装后形成不同产品形态，移动终端上表现为eMMC或UFS，个人计算机与服务器上表现为SSD，可插拔介质则表现为SD卡与U盘。

传统只读存储器技术中，PROM与EPROM已基本退出市场，EEPROM因其可逐字节电擦除的特性，在低容量配置芯片与板级参数存储等细分场景中仍有应用。此外，以相变存储器、磁阻存储器、阻变存储器及铁电存储器为代表的新型非易失性存储技术持续演进，目标是在速度、密度与耐久性上取得突破，目前尚处于前沿探索与特定领域商用阶段。

从工程选型角度来看，内存决定了系统的并发处理能力，闪存决定了系统的数据驻留规模，两者在存储体系中各司其职，共同构成电子设备的存储基础。

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